Die Abteilung befasst sich mit der Modifizierung moderner Materialien für elektronische und optische Anwendungen mittels Ionenstrahlen und Kurzzeitausheilung. Sie verfügt über Anlagen zur Kurzzeitausheilung und Dünnschichtabscheidung sowie Geräte zur elektrischen und optischen Charakterisierung von Materialien. Die Forschungsarbeiten werden in enger Zusammenarbeit mit den anderen Abteilungen des Institutes ausgeführt.

Forschungsschwerpunkte:

• Bandgap und strain engineering in Ge
• Hyperdoping von Si und Si-Nanodrähten
• Supraleitung in überdotierten Halbleitern
• III-V Nanostrukturen in Silizium
• Kristallisationsphänomene in dünnen, abgeschiedenen Halbleiterschichten mittels Blitzlampenausheilung
• Blitzlampentemperung
• Ionenstrahl-bearbeitete funktionelle Materialien für die Spintronik und Photovoltaik (Helmholtz-Nachwuchsgruppe)

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The department is concerned with the modification of advanced materials for electronic and optical applications by ion beams and short-time annealing. It is equipped by tools for short-time annealing and thin film deposition as well as by devices for the electrical and optical characterization of materials. The research work is performed in close collaboration with the other departments of the institute.

Current research areas:

• Bandgap and strain engineering in Ge
• Hyperdoping of Si and Si nanowires
• Super conductivity in hyperdoped semiconductors
• III-V nanostructures in silicon
• Crystallization phenomena in thin deposited semiconductor films by flash lamp annealing
• Flash lamp annealing
• Ion beam processed functional materials for spintronics and photovoltaics (Helmholtz Young Investigators' Group)