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Professur für Halbleiterphysik (HLP)

übergeordnete Einrichtungen:
Technische Universität Dresden (TUD)

Kontakt

Web: https://tu-dresden.de/mn/physik/iap/hlp
E-Mail:
Telefon: +49 351 463-35170
Fax: +49 351 463-37060
Postanschrift: Technische Universität Dresden (TUD), Professur für Halbleiterphysik (HLP), 01062 Dresden, Germany
Besucheradresse: Technische Universität Dresden (TUD), Professur für Halbleiterphysik (HLP), Haeckelstraße 3 (Recknagel-Bau, Raum PHY C207), 01069 Dresden, Germany
Partner: Technische Universität Dresden

Beschreibung

Unsere Forschung konzentriert sich auf die optischen und elektrischen Eigenschaften kristalliner Halbleiter und ihren Zusammenhang mit der Gitterstruktur. Dabei werden sowohl fundamentale als auch sehr angewandte Fragestellungen untersucht.

 

Forschungsgebiete

Materialwissenschaftliche Grundlagen der Photovoltaik PVD-Abscheidung von Absorberschichten für die Dünnschicht-Photovoltaik – Physikalische Charakterisierung von PV-Absorberschichten insbesondere hinsichtlich ihrer halbleiterphysikalischen Eigenschaften, Transparentes leitfähiges p-dotiertes Zinkoxid für die Photovoltaik, Untersuchung tiefer Defekte im ZnO, Ausgedehnte Defekte, in Elementhalbleitern, Störstellen in Halbleitern, Materialien für ultradünne Silizium-Solarzellen, Halbleiterphysikalisches Grundmaterial- und Prozessassessment, Wissenschaftliche Koordinierung des Forschungsvorhabens SolarLab,  Defektcharakterisierung von Solarzellenmaterial
Grundlagen neuer Messmethoden für die Halbleitertechnologie Wasserstoffmoleküle in Halbleitern, Aufbau eines optischen Messplatzes zur spektralen und zeitaufgelösten Lumineszenz Untersuchung nach und während der Ionenbestrahlung, Lokale Struktur von Defekten in Halbleitern, Ionenstrahlstimulierte Lumineszenz in Halbleitern, Untersuchung tiefer Defekte im ZnO, Entwicklung von MOCVD-gewachsenem MgZnO für Anwendungen in der UV-Photonik, Ausgedehnte Defekte in Elementhalbleitern, Störstellen in Halbleitern, Defektcharakterisierung von Solarzellenmaterial, Ionenstrahl-induzierte Lumineszenz in Halbleitern, DLTS-Messungen an aktuellen high-k-MIS-Strukturen
Elektrische und optische Eigenschaften von Defekten in Halbleitern Materialmodifizierung von Halbleitern durch gezieltes Einbringen von inneren Verspannungen, Untersuchung von Defekten in ZnO, Bildung und Metastabilität von Paar-Defekten in Silicium, Aufbau eines optischen Messplatzes zur spektralen und zeitaufgelösten Lumineszenz Untersuchung nach und während der Ionenbestrahlung, Defektspektroskopie mit radioaktiven Isotopen, Lokale Struktur von Defekten in Halbleitern, Eigenschaften von Wasserstoff in ZnO, Grundlagen einer ONO-basierten Speichertechnologie mit Abmessungen unter 70 nm, Ausgedehnte Defekte in Elementhalbleitern, Störstellen in Halbleitern, Defektcharakterisierung von Solarzellenmaterial, Elektrische und optische Eigenschaften von TiO2 (Rutil, Anatase), Hydrogen multicenter bond in oxides, DLTS-Messungen an aktuellen high-k-MIS-Strukturen
Struktur-Eigenschafts-Beziehungen von Festkörpern Gefügestabilität, Korngrenzeneffekte und Verformungsmechanismen in submikrokristallinem Ni-Fe, Niederdimensionales H2 Gas in Halbleitern, Untersuchung polykristalliner Si-Wafer, Ausgedehnte Defekte in Elementhalbleitern, Substitutioneller Wasserstoff in ZnO, Identification of complexes of substitutional copper with fast-diffusing impurities in silicon, Defektcharakterisierung von Solarzellenmaterial

Geräte

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Zugehörigkeit

übergeordnete Einrichtungen

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Institut für Angewandte Physik (IAP) Institut anzeigen

Letztes Update

Letztes Update am: 18.08.2016 12:11 CEST