Alle Geräte dieser Einrichtung anzeigen Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PE-CVD) Applied Materials Centura
Informationen
| Name: | Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PE-CVD) | |
| Hersteller: | Applied Materials | |
| Modell: | Centura | |
| Einrichtung: | 200 mm MEMS-Reinraum | |
| Partner: | Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (IPMS) |
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| Inventarnummer: | CVD01-LP, CVD03, CVD04-W | |
Beschreibung
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD) is a process used to deposit thin films from a gas state to a solid state on a substrate by creating a plasma of the reacting gases. This method allows for film deposition at lower temperatures compared to traditional CVD, making it suitable for temperature-sensitive substrates. We offer the different processes with PE-CVD:
- Silicon Oxide as ILD and Sacrifcial Layers
- a-Si:H as Sacrifcial Layers
- Silicon Nitride for Passivation / Membrane
- HDP Oxide as ILD and Sacrifcial Layers
- Tungsten for Plugs and TSVs
Optionen der Gerätenutzung
- Dieses Gerät wird im Rahmen einer Dienstleistung oder Forschungsleistung (Kooperation) verwendet.
Ansprechpartner
Zugeordnete Dienstleistungen
| Name | Vorschau | Aktionen |
|---|---|---|
| Abscheidung von Material auf Wafern |
Letztes Update
Zuletzt aktualisiert am: 14. Januar 2025 um 10:38:56