Nach mehr als 10 Jahren Dienst wird das Dresden Technologieportal in naher Zukunft seinen Dienst einstellen.
Auf den Nachfolgedienst werden wir bei Inbetriebnahme hier verweisen.
Bitte aktualisieren Sie hier keine Geräteeinträge mehr, sondern nutzen Sie zukünftig das neue Portal.
Auf den Nachfolgedienst werden wir bei Inbetriebnahme hier verweisen.
Bitte aktualisieren Sie hier keine Geräteeinträge mehr, sondern nutzen Sie zukünftig das neue Portal.
Alle Geräte dieser Einrichtung anzeigen Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PE-CVD) Applied Materials Centura
Informationen
| Name: | Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PE-CVD) | |
| Hersteller: | Applied Materials | |
| Modell: | Centura | |
| Einrichtung: | 200 mm MEMS-Reinraum | |
| Partner: | Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (IPMS) |
|
| Inventarnummer: | CVD01-LP, CVD03, CVD04-W | |
Beschreibung
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD) is a process used to deposit thin films from a gas state to a solid state on a substrate by creating a plasma of the reacting gases. This method allows for film deposition at lower temperatures compared to traditional CVD, making it suitable for temperature-sensitive substrates. We offer the different processes with PE-CVD:
- Silicon Oxide as ILD and Sacrifcial Layers
- a-Si:H as Sacrifcial Layers
- Silicon Nitride for Passivation / Membrane
- HDP Oxide as ILD and Sacrifcial Layers
- Tungsten for Plugs and TSVs
Optionen der Gerätenutzung
- Dieses Gerät wird im Rahmen einer Dienstleistung oder Forschungsleistung (Kooperation) verwendet.
Ansprechpartner
Zugeordnete Dienstleistungen
| Name | Vorschau | Aktionen |
|---|---|---|
| Abscheidung von Material auf Wafern |
Letztes Update
Zuletzt aktualisiert am: 14. Januar 2025 um 10:38:56