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Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PE-CVD) Applied Materials Centura

Informationen

Name: Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PE-CVD)
Hersteller: Applied Materials
Modell: Centura
Einrichtung: 200 mm MEMS-Reinraum
Partner: Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (IPMS)
Inventarnummer: CVD01-LP, CVD03, CVD04-W

Beschreibung

Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD) is a process used to deposit thin films from a gas state to a solid state on a substrate by creating a plasma of the reacting gases. This method allows for film deposition at lower temperatures compared to traditional CVD, making it suitable for temperature-sensitive substrates. We offer the different processes with PE-CVD:

  • Silicon Oxide as ILD and Sacrifcial Layers
  • a-Si:H as Sacrifcial Layers
  • Silicon Nitride for Passivation / Membrane
  • HDP Oxide as ILD and Sacrifcial Layers
  • Tungsten for Plugs and TSVs

 

 

Optionen der Gerätenutzung

Ansprechpartner

Jörg Amelung
E-Mail:
Telefon:
+49 351 88 23-4691

Zugeordnete Dienstleistungen

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Abscheidung von Material auf Wafern

Letztes Update

Zuletzt aktualisiert am: 14. Januar 2025 um 10:38:56