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Röntgen-Photoelektronen-Spektroskop (XPS) PHI Quantes Scanning XPS/HAXPES Microprobe

Informationen

Name: Röntgen-Photoelektronen-Spektroskop (XPS)
Hersteller: PHI Quantes Scanning XPS/HAXPES Microprobe
Einrichtung: Analytik und Metrologie of the 300 mm CMOS-Reinraum
Partner: Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (IPMS)

Beschreibung

Die Röntgenphotoelektronenspektroskopie ist ein quantitatives Verfahren, das die Chemie eines Materials untersucht. Röntgenstrahlen auf eine Probe treffen, werden Elektronen durch den photoelektrischen Effekt angeregt. Die Energien der ausgestoßenen Photoelektronen werden analysiert, um Informationen über den chemischen Zustand und die elementare Zusammensetzung einer Probe zu erhalten. Wir bieten eine einzigartige laborgestützte Kombination monochromatischer Röntgenquellen an: eine weiche Röntgenquelle (Aluminium Kα) und eine hochenergetische Röntgenquelle (HAXPES mit Cr Kα) für ein breiteres Spektrum von Analyseanforderungen. Die Cr Kα-Quelle bietet einen größeren Messbereich und eine größere Analysetiefe, die etwa dreimal so groß ist wie bei der Al Kα-Quelle. Darüber hinaus können mit Cr Kα Tiefenprofile von vergrabenen Schichten ohne Ionenstrahlsputtern erstellt werden, wodurch eine ionenbasierte Degradation vermieden wird.

Die Spotgrößen können zwischen 7 und 200 μm im Durchmesser fokussiert werden, was eine Mikrosondenanalyse ermöglicht, bei der Punkte, Linien und Kartierungsbereiche definiert werden können. Die Tiefenanalyse mit Winkel- und Sputterprofilen ermöglicht die Bestimmung der Materialzusammensetzung in Schichtstapeln oder im Bulkmaterial. Aufnahme von REM-ähnlichen Bildern für die Analyse strukturierter und inhomogener Oberflächen ist ebenso möglich. Darüber hinaus können  temperaturabhängige in-situ XPS-Messungen im Bereich von -120 °C bis +300 °C durchgeführt werden.

 

Fähigkeiten

  • Duale monochromatische Anregung: AlKα- und CrKα-Röntgenstrahlquellen
  • Einzigartige Möglichkeiten zur Tiefenprofilierung
  • Definition verschiedener Analysebereiche bis zu einer Größe von mehreren Mikrometern
  • Analyse von strukturierten Wafern mit Hilfe der röntgeninduzierten Sekundärelektronenabbildung (SXI)
  • Temperaturabhängige In-situ-Messungen
  • Bestimmung der chemischen Zusammensetzung

 

Link zu weiteren Informationen

https://www.ipms.fraunhofer.de/content/dam/ipms/common/products/CNT/cnt-2021/Fraunhofer%20IPMS%20-%20Semiconductor%20Analytical%20Services.pdf

Ansprechpartner

Notizen

This is an instrument within the Dresden Fraunhofer Cluster Nanoanalysis (DFCNA).

Zugeordnete Dienstleistungen

Name Vorschau Aktionen
Analytik und Metrologie

Bilder

Letztes Update

Zuletzt aktualisiert am: 20. Dezember 2024 um 13:27:54