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Waferbeschichtung
Einrichtung: Professur für Halbleitertechnik
Waferbeschichtung - Oxidation, PECVD-, ALD- und PVD-Prozesse für Herstellung funktionaler Schichten und Schichtsysteme, Diffusionsbarrieren, Metallisierungen verschiedener Einsatzbereiche.
Si-Tiefenätzen für MEMS, MOEMS und Mikrofluidik
Einrichtung: Professur für Halbleitertechnik
Si-Tiefenätzen für MEMS, MOEMS und Mikrofluidik.
Additive und subtraktive Verdrahtungstechnologien
Einrichtung: Professur für Halbleitertechnik
Additive und subtraktive Verdrahtungstechnologien - z.B. Damascene Strukturierung.
Chemische Schichtstrukturierung
Einrichtung: Professur für Halbleitertechnik
Chemische Schichtstrukturierung - chemisches Naß- und Trockenätzen.
Trennschleifen verschiedener Substrate
Einrichtung: Professur für Halbleitertechnik
Trennschleifen verschiedener Substrate mit max. 200mm Durchmesser und Substratmaterialien (Si, Saphir, Gläser).