270 Ergebnisse
Formgebung
Einrichtung: Materials Center
Mit Hilfe innovativer Granulationstechnologie fertigen wir aus Ihrem Produkt stäbchen- oder kugelförmige Granulate bereits im Grammmaßstab.
Stickstoffphysisorption
Einrichtung: Materials Center
Wir tätigen für Sie Tieftemperatur- Stickstoffadsorptionsmessungen inklusive Auswertung nach dem BET- und Langmuirmodell.
Pulverdiffraktometrie
Einrichtung: Materials Center
Sie benötigen eine schnelle und zuverlässige Phasenanalyse und haben an Ihrem Standort keine Messmöglichkeit? Wir erstellen für Sie Röntgenpulverdiffraktogramme anhand von nur 15 mg Material.
Waferbeschichtung
Einrichtung: Professur für Halbleitertechnik
Waferbeschichtung - Oxidation, PECVD-, ALD- und PVD-Prozesse für Herstellung funktionaler Schichten und Schichtsysteme, Diffusionsbarrieren, Metallisierungen verschiedener Einsatzbereiche.
Si-Tiefenätzen für MEMS, MOEMS und Mikrofluidik
Einrichtung: Professur für Halbleitertechnik
Si-Tiefenätzen für MEMS, MOEMS und Mikrofluidik.
Additive und subtraktive Verdrahtungstechnologien
Einrichtung: Professur für Halbleitertechnik
Additive und subtraktive Verdrahtungstechnologien - z.B. Damascene Strukturierung.
Chemische Schichtstrukturierung
Einrichtung: Professur für Halbleitertechnik
Chemische Schichtstrukturierung - chemisches Naß- und Trockenätzen.
Trennschleifen verschiedener Substrate
Einrichtung: Professur für Halbleitertechnik
Trennschleifen verschiedener Substrate mit max. 200mm Durchmesser und Substratmaterialien (Si, Saphir, Gläser).


